Kurz nekritického myšlení

Zobrazit rozvrh

Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky Semestr
373KNM Z 1 18S česky zimní

Garant předmětu

Pavol FABUŠ

Jméno vyučujícího (jména vyučujících)

Pavol FABUŠ

Výsledky učení dané vzdělávací složky

Cílem kurzu je rozvoj tvůrčích schopností skrze rozpravu. Zaměříme se na impulzy, které nám umožnují interpretovat vysoké i nízké jevy v digitálním prostředí a přetavit je v zdroj inspirace.

Forma studia

-

Předpoklady a další požadavky

-

Obsah kurzu

Otevřená debata o všedních zážitcích s vlastním feedem, guilty pleasures, a nejrůznějšími „unheimlich“ fenomény si klade za cíl kultivovat individuální kreativitu a skupinově se zaměřit na to nejpodstatnější, tedy inspirativní přemýšlení, které nepodléhá primárně studijnímu účelu, ale spíš otázkám po vlastní tvorbě. To vychází z reflexe, která obchází tradiční hierarchie nízké a vysoké kultury nebo jevů důležitých či marginálních a bezvýznamných, které však v sobě ukrývají to nejcennější: fascinaci, údiv, nebo také projevy sebezapomnění při prokrastinaci. Seminář by měl být místem, kde bude pravidelně probíhat praktická explorace vlastního nekritického myšlení vychýleného z výukové trasy avšak přichýlená k všednímu, banálnímu a přesto podreflektovanému životu v digitálním prostředí inspirované impulzy od přihlášených účastníků.

Doporučená nebo povinná literatura

-

Hodnoticí metody a kritéria

-

Poznámka

-

Další informace

Předmět je součástí nabídky volitelných předmětů fakulty

Rozvrh na zimní semestr 2019/2020:

06:00–08:0008:00–10:0010:00–12:0012:00–14:0014:00–16:0016:00–18:0018:00–20:0020:00–22:0022:00–24:00
Po
Út
St
Čt
místnost TR-336
Učebna TR-336

(Tržiště 20, Praha 1 (vchod z Rektorátu AMU, Malostranské nám. 12))
FABUŠ P.
15:30–17:00
(přednášková par. 1)

Datum Den Čas Vyučující Místo Poznámky Č. paralelky
Čt 15:30–17:00 Pavol FABUŠ Učebna TR-336
Tržiště 20, Praha 1 (vchod z Rektorátu AMU, Malostranské nám. 12)
přednášková par. 1

Rozvrh na letní semestr 2019/2020:

Rozvrh zatím není připraven

Předmět je součástí následujících studijních plánů